2 月 13 日，宏碁推出了基于 6nm 主控的 PCIe 5.0 固态硬盘 —— 宏碁 N8000。该产品采用 PCIe 5.0 x4 高速通道与 NVMe 2.0 接口协议，为中高端游戏本、轻薄本及迷你主机提供新一代存储扩容方案。
在维持 PCIe 5.0 高带宽特性的同时，N8000 将产品优化的核心重心放在了功耗控制与温控表现上。
从整体外观来看，宏碁 N8000 PCIe 5.0 固态硬盘采用了标准的 M.2 2280 物理规格。其电路板选用了纯黑色的 PCB 基板。
主控芯片、两颗 NAND 闪存颗粒以及相关的供电控制元器件均集中在 PCB 的正面，这种单面布局有效降低了硬盘的整体厚度，使其能够更好地兼容笔记本电脑内部严苛的物理安装空间。同时，宏碁 N8000 采用的是无外置物理缓存（DRAM-less）架构方案，所以也没有独立的 DRAM 内存芯片。
细节上，靠近 M.2 金手指接口一侧的核心元器件为固态硬盘主控芯片。芯片表面的微距实拍丝印显示型号为 SM2504XT，这是来自慧荣科技的新一代 PCIe 5.0 主控。
该主控采用了台积电 6nm 先进制程工艺制造。相较于早期工艺，6nm 制程在漏电流控制和能耗比上具备显著的物理优势。得益于这一先进制程主控的搭载，N8000 在同规格 Gen5 产品中实现了较低的功耗表现，其满载功耗被控制在 5.2W 以下，官方数据显示相比常规 PCIe 5.0 SSD 功耗降低约 40%。
这为缓解移动端设备满载运行时的散热与续航压力提供了硬件基础。
占据 PCB 核心区域的是两颗用于存储数据的 NAND 闪存颗粒。
颗粒是由国内存储封测厂商佰维（BIWIN）进行封装的 3D TLC 闪存。配合主控，该闪存可提供 3600MT/s 的 I/O 接口速度。在理论性能方面，N8000 的最高顺序读取速度可达 11000MB/s，顺序写入速度达到 10000MB/s，随机读写性能双双达到 1700K IOPS。宏碁 N8000 还引入了 HMB 机制，并配置了智能 SLC cache 动态缓存技术。
N8000 搭配了超薄石墨散热贴片用于核心热量导出，避开了占用空间的厚重金属马甲。产品目前提供 1TB 与 2TB 两种容量版本，其中 2TB 版本的标称耐久度达到 1500TBW。
目前宏碁存储 Acer N8000 固态硬盘已经上市，1TB 款 1399 元、2TB 款 2299 元。
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